13 listopada odbędzie się uroczystość nadania tytułu doktora honoris causa Uniwersytetu Warszawskiego dla prof. Hideo Ohno z Uniwersytetu Tohoku w Japonii. Naukowiec jest wybitnym fizykiem materii skondensowanej.

Do zainteresowań badawczych prof. Hideo Ohno należą układy półprzewodnikowe z wbudowanymi własnościami magnetycznymi. Japoński naukowiec jest uważany za czołową postać światowej spintroniki, czyli nauki poświęconej badaniom zależnych od spinu własności materii skondensowanej oraz poszukiwaniu zjawisk, które mogą zostać wykorzystane do budowy przyrządów nowej generacji technologii informatyczno-komunikacyjnych.

Stopień naukowy doktora prof. Ohno otrzymał na Uniwersytecie Tokijskim w 1982 roku. W latach 1982–1983 był wykładowcą na Wydziale Inżynierii Uniwersytetu Hokkaido, a w latach 1983–1994 – profesorem nadzwyczajnym. W toku swojej działalności wizytował w IBM T. J. Watson Research Center. W 1994 roku rozpoczął pracę na stanowisku profesora na Uniwersytecie Tohoku w Instytucie Badawczym Komunikacji Elektronicznej (RIEC). Od 2004 roku kieruje Laboratorium Nanoelektroniki i Spintroniki na Uniwersytecie Tohoku. Od 2010 roku do marca 2018 roku prof. Ohno pełnił funkcję dyrektora Centrum Zintegrowanych Systemów Spintronicznych. Od 2018 roku jest prezydentem Uniwersytetu Tohoku.

Przełomowe odkrycia

Dorobek naukowy japońskiego naukowca jest obszerny. Wyróżniony fizyk opublikował ponad 500 prac naukowych. Prace prof. Ohno były publikowane w prestiżowych czasopismach naukowych, takich jak „Science”, „Nature”, „Nature Physics”, „Nature Materials” czy „Physical Review Letters”. Jego prace były cytowane ponad 104 tys. razy, a indeks Hirsha przekroczył 115. Prof. Ohno jest współautorem 119 rodzin patentowych (ten sam wynalazek opatentowany w różnych krajach), w tym siedemdziesięciu siedmiu patentów amerykańskich.

Współczesne technologie informatyczne wykorzystują półprzewodniki do przetwarzania informacji oraz materiały ferromagnetyczne do jej zapisania. Prof. Hideo Ohno stworzył m.in. nową klasę materiałów – ferromagnetyczne półprzewodniki grupy III–V, które łączą zalety magnetyków i półprzewodników. Po opanowaniu metod wzrostu i charakteryzacji tworzenia struktur kwantowych z nowego systemu materiałowego prof. Ohno zaprojektował wiele struktur oraz urządzeń, w których wykazał istnienie nowych zjawisk o fundamentalnym znaczeniu dla zrozumienia natury ferromagnetyzmu oraz dla stworzenia przyrządów o nowych zasadach działania.

Wraz ze swoim zespołem na Uniwersytecie Tohoku, we współpracy z badaczami zagranicznymi, prof. Ohno dokonał wielu odkryć. Przełomowe dla fizyki materii skondensowanej okazały się trzy z nich. Pierwsze dotyczy badań, w których pole elektryczne może służyć do sterowania wartością i kierunkiem namagnesowania. Drugie dotyczy doświadczalnego wykazania, że ściany domenowe można przesuwać prądem elektrycznym bez pola magnetycznego. Prof. Ohno zbudował też prototyp procesora zawierającego wbudowane komórki pamięci spintronicznych i wykazał ich rekordowe charakterystyki dotyczące szybkości działania i energooszczędności.

Japońsko-warszawska współpraca

Prof. Ohno przyczynił się do wprowadzenia badań magnetycznych materiałów półprzewodnikowych na Uniwersytecie Warszawskim. Od ponad dwudziestu lat współpracuje z naukowcami z Wydziału Fizyki UW. Współpraca obejmuje liczne dyskusje naukowe, wspólne publikacje oraz dostęp do unikatowych próbek wytwarzanych w laboratorium prof. Ohno. W 1997 roku odbyło się Polsko-Japońskie Sympozjum Półprzewodników Magnetycznych, zorganizowane wspólnie z uczonym. W kolejnych latach spotkania były kontynuowane w Warszawie i w Japonii.

Za swoją unikatową działalność i osiągnięcia naukowe prof. Ohno został uhonorowany wieloma prestiżowymi wyróżnieniami, m.in. Nagrodą Międzynarodowej Unii Fizyki Czystej i Stosowanej w dziedzinie magnetyzmu czy Nagrodą Europejskiego Towarzystwa Fizycznego.

16 czerwca 2021 roku Senat UW przyjął uchwałę w sprawie nadania prof. Hideo Ohno tytułu doktora honoris causa Uniwersytetu Warszawskiego.